论文部分内容阅读
基于MBE的Ge-Graphene-Ge的2D/3D材料异质集成
【机 构】
：
中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
【出 处】
：
第十二届全国分子束外延学术会议
【发表日期】
：
2017年期
其他文献
本文研究了1-MeV 的电子辐照对全固态分子束外延设备生长GaInP/GaAs//InGaAsP/InGaAs 四结室温键合太阳电池性能的影响。在经过剂量为1×1015e/cm2的1MeV 电子辐照之后，电
会议
MBE has become an effective mass production technology for electronic/optoelectronic epitaxial devices structures growth.The MBE foundry,such as IntelliEPI,
会议