【摘 要】
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有关相依复杂网络鲁棒性的理论研究证明网络之间的耦合使得网络变得更加脆弱，而现实的复杂网络却非常稳定。在本报告中，我们试图从网络之间的耦合机制的角度给出一些可能的解释。首先，真实网络之间同时存在内部依赖节点和外部依赖节点，过去的理论研究仅仅关注了单一类型节点对于网络鲁棒性的作用，我们的研究证明两种节点的适度分布比例能够使网络的鲁棒性达到最好，网络的破碎形式展现为二级相变，过大或过小都能够使网络的鲁棒
【机 构】
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杭州师范大学,浙江,杭州 311121
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有关相依复杂网络鲁棒性的理论研究证明网络之间的耦合使得网络变得更加脆弱，而现实的复杂网络却非常稳定。在本报告中，我们试图从网络之间的耦合机制的角度给出一些可能的解释。首先，真实网络之间同时存在内部依赖节点和外部依赖节点，过去的理论研究仅仅关注了单一类型节点对于网络鲁棒性的作用，我们的研究证明两种节点的适度分布比例能够使网络的鲁棒性达到最好，网络的破碎形式展现为二级相变，过大或过小都能够使网络的鲁棒性变差，网络的破碎形式展现为一级相变。
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Multiferroics are a kind of materials which simultaneously possess polarization ordering and magnetic ordering [1,2].The conflicting requirements for d-obital electron configurations of ferroelectrici
随着个人电子器件、植入式医疗器件等微纳器件的飞速发展,传统供电系统如锂离子电池等已经难以适应器件小型化和集成化的需求。采用压电纳米材料构建的纳米发电机可实现对机械能的采集并将其转换成电能输出,是解决上述问题的可行措施。本文通过静电纺丝法制备PVDF纳米纤维,当纺丝电压从11kV提高至15kV时,其相含量和压电性能显著提升。通过转移、溅射、封装等一系列手段将PVDF纳米纤维制作成柔性压电器件,利用器
The memristive device has attracted great interest due to the specific resistive switching(RS)behavior.It has the potential application on random resistance access memory(RRAM)due to its characteristi
铁电隧道结存储器是一类创新的纳米电子器件，通常采用金属/超薄铁电薄膜/金属三明治结构。几个纳米厚的铁电层作为电子隧穿势垒，其自发极化翻转使得势垒高度明显变化，从而在隧道结中获得高、低两个电阻态。铁电极化的快速翻转能力使得铁电隧道结在快速度、低功耗阻性存储领域有得天独厚的优势。而且，由于其阻态取决于铁电畴结构，通过微结构调控能够实现可控的准连续阻态变化，因此作为忆阻器的铁电隧道结也是一类重要的神经形
聚偏氟乙烯(PVDF)类的铁电高分子在有机电子信息存储及各类换能器中展示出了很强的应用,主要是基于铁电高分子中稳定的铁电性和优异的压电性、热电性。实际上,PVDF类高分子本身的分子和凝聚态结构多变,我们从控制PVDF自身结构缺陷及外界能量刺激等方式调制高分子材料中的自发极化状态,设计出一系列新型的基于PVDF的有机存储或传感器件。
聚合物基高介电纳米复合电介质不仅具有储能和均匀电场的作用，还具有易加工、柔性好以及成本低等优势，在脉冲电容器储能，电缆终端及接头电应力控制等领域有重要应用。在聚合基体中引入高介电陶瓷纳米颗粒是制备高介电聚合物纳米复合电介质的方法，但介电常数提高的同时通常伴随击穿强度的大幅降低和介电损耗的大幅升高，难以提高能量密度并获得高存储效率。提高聚合物复合介质(特别是纳米复合介质)的介电性能传统策略是对纳米颗
有机电子材料已经越来越广泛的应用于新一代电子及光电器件。随着信息技术的发展,对未来信息存储提出了结构简易、低功耗,高集成度、高密度的等更高要求。基于铁电量子隧穿效应的铁电隧道结提出为实现这类器件功能提供了可能性。近期,我们利用一类铁电聚合物材料-聚偏氟乙烯(PVDF),构筑了铁电量子隧道结构,实现了直接量子隧穿效应。具体地：利用朗缪尔-布拉基特(LB)方法制备了分子层厚度的PVDF超薄膜,运用多重
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