【摘 要】
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本文采用光辅助MOCVD技术在(100)p-Si和蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过光致发光(PL)谱、X射线衍射(XRD)仪和霍尔(Hall)测试等对薄膜的特性进行了表征,分析比较了光辅助对薄
【机 构】
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吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室 长春 130012
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本文采用光辅助MOCVD技术在(100)p-Si和蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜。通过光致发光(PL)谱、X射线衍射(XRD)仪和霍尔(Hall)测试等对薄膜的特性进行了表征,分析比较了光辅助对薄膜特性的影响。实验发现,光照可以改善薄膜的结晶质量和光学质量,并且光辅助条件下生长的薄膜具有更大的晶粒尺寸和较低的本底载流子浓度。分析其原因主要是由于光辅助有助于改善源的分解效率,并可抑制非故意引入的氢的掺入所致。另外光辐照提供的高能光子可为反应生成的原子提供足够高的激活能,易于其迁移到合适的晶格位置,因此光照条件下制备的样品具有更好的质量。
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