【摘 要】
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SiNx薄膜具有良好的绝缘性、化学稳定性和致密性等特点,被广泛地用于半导体的绝缘介质层或钝化层。PECVD法沉积的SiNx膜具有沉积温度低,沉积速度快、薄膜质量好、工艺简单等
【机 构】
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SiNx薄膜具有良好的绝缘性、化学稳定性和致密性等特点,被广泛地用于半导体的绝缘介质层或钝化层。PECVD法沉积的SiNx膜具有沉积温度低,沉积速度快、薄膜质量好、工艺简单等优点,被大量应用于晶体硅太阳电池产业中[1]。通过调整SiH4和NH3的流量比,可以改变SiNx薄膜中的Si和N原子的比例,实现薄膜折射率的变化（1.8-2.3）,以获得更好的钝化和减反射效果[4]。本文研究了SiNx薄膜生长速率、折射率、少子寿命和太阳电池转换效率随反应室压强的变化规律,给出了优化的压强范围。利用平板式等离子增强化学气相沉积（PECVD）法,在反应温度为300℃,NH3:SiH4比例为3:1和沉积压强为0.2-0.4mbar的条件下,在多晶硅片上沉积了具有不同光学和电学性能的SiNx膜。实验研究了不同压强对SiNx膜的生长速率、折射率、少子寿命以及电池转换效率的影响。
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