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本文针对碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件器件在高温、高频、大功率等条件下出现的问题,系统分析了SiC/栅介质界面特性对功率MOS器件载流子迁移率影响的主要因素,从钝化工艺及低温沉积技术等方面重点综述了SiC/栅介质界面优化措施,并展望了SiC基功率MOS器件未来的发展趋势。