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本文介绍了量子阱超品格光电探测材料的现状及发展趋势。以InAs/GaInSb应变层超晶格和AlGaN/GaN超晶格为例,论述了超晶格的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,分析了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象。同时,总结了分子束外延生长过程中控制量子阱超晶格界面结构的工艺方法。
量子阱超晶格红外光电薄膜材料研究
【摘 要】
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本文介绍了量子阱超品格光电探测材料的现状及发展趋势。以InAs/GaInSb应变层超晶格和AlGaN/GaN超晶格为例,论述了超晶格的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响,
【机 构】
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哈尔滨工业大学,黑龙江哈尔滨 150001
【出 处】
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中国工程院化工·冶金与材料工程学部第六届学术会议
【发表日期】
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2007年期
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