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二维晶体的物理和化学性质不仅可以被晶体本身的结构和组成所改变,而且可以被晶体的缺陷、掺杂物和界面所调整。在二维晶体中,缺陷存在于晶体的表面,可以显示独特的结构和动态迁移特性。另外,隔绝和操纵二维晶体的本能促使我们创造出面内和垂直叠放的范德华异质结。当通过堆积不同的二维晶体来创造异质结时,由于种类不同的组合材料本身的二维性质,异质结会出现新的物理、化学和电子特性。在本次研究中,我们用超高分辨率的像差校正电子显微镜来探测缺陷的原子和化学结构,也就是说,缺陷的变位、掺杂物和晶界,以及他们在与过渡金属硫化物单分子层、二硫化钨、二硒化钨、二硫化钼及其与石墨烯形成异质结时的松弛时间和迁移动力学。本次还会讲述一种利用原子能形成薄的独立的范德华石墨烯/过渡金属硫化物异质结的独特方法。这种异质结能够用来探究缺陷在垂直堆积的二维异质结中二层成核的作用。