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利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火处理的SIMOX材料的顶层硅膜.实验结果显示,SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰:它们是能量为0eV(与导带底的距离)的a峰、能量为0.33eV的b峰和能量为0.35eV的c峰.与RBS谱相比,我们发现a峰峰高及b/a峰值比是锋衡量顶层硅膜单晶完整性的标度.谱峰b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧,起施主作用.SIMS测试结果显示,谱峰c来源于SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮.