GaAs FET失效机理及快速评价实验技术的研究

来源 :第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kellermanx
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本文提出了快速评价GaAs FET可靠性寿命的一种新方法.利用GaAs FET失效敏感参数的温度特性和在一定电应力下的退化特性,在线快速提取出器件失效敏感参数的退化量与温度的关系,从而可进一步求出器件的失效激活能、寿命等相关的可靠性参数.
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