【摘 要】
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本文尝试为等离子体化学气相沉积(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池的P型与I型微晶硅(μc-Si∶H)材料和N型非晶硅(a-Si∶H)材料建立简单实用的光学模型,用以拟合可见和近红外范围(370nm-1000nm)的光谱椭圆偏振测量值(Ψ和Δ)而得到这些材料的光学常数(折射率和吸收系数)谱。采用了Tauc-Lorentz振子模型,并考虑玻璃衬底下表面反射和硅薄膜表面氧化层与粗糙
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津 300071
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本文尝试为等离子体化学气相沉积(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池的P型与I型微晶硅(μc-Si∶H)材料和N型非晶硅(a-Si∶H)材料建立简单实用的光学模型,用以拟合可见和近红外范围(370nm-1000nm)的光谱椭圆偏振测量值(Ψ和Δ)而得到这些材料的光学常数(折射率和吸收系数)谱。采用了Tauc-Lorentz振子模型,并考虑玻璃衬底下表面反射和硅薄膜表面氧化层与粗糙层的影响,得到了比较理想的拟合结果。结合拉曼散射谱分析结果,发现光学常数谱可以反映材料以晶化程度为主的微观结构信息。
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本文以互惠双赢为基本原则对供应商进行质量改进,研究了从质量协议的订立、产品验证、不合格品的分析,不良原因的分析,供应商改进措施的制定,供应商绩效的评定与动态管理等方面,对供应商的质量改进进行了探讨。
中德财政合作太阳能项目在青海省共建成独立运行光伏、光/柴互补电站56座,本文介绍了这些电站的系统设计和运行情况,并对部分用电监测数据进行了粗略的分析。
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采用u-PCD测试晶体硅材料的少子寿命,研究了在磷扩散的P型多晶硅片上PECVD双面淀积氢化非晶氮化硅薄膜(a-SiNx∶H,简写为SiN),快速热处理工艺(RTP)以及在N2气氛中低温热处理SiN薄膜对多晶硅材料少子寿命的影响。进一步研究了N2气氛中,不同热处理温度以及热处理时间对SiN薄膜体氢钝化作用的影响。文中可以得出结论:虽然PECVD SiN薄膜在RTP工艺后少子有效寿命有大幅提高,但氢
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使用1.5MeV高能电子对碲化镉薄膜太阳电池进行了不同注量的辐照,使用深能级变幅电容分布特性(DLCP)测试、光/暗I-V特性测试、暗C-V特性测试等表征了辐照对器件性能的影响。结果表明:随剂量的增加,DLCP浓度NDL减小,器件的耗尽区宽度增加,反向暗饱和电流降低,二极管理想因子增加.相应的器件的转换效率降低。注入量大于100MGy时,转换效率下降达到31.9％,耗尽区宽度大于4微米。
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利用中频直流磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备了3h的AZO透明导电薄膜。利用XRD四探针法和分光光度计分别研究了不同衬底温度下薄膜的晶体结构、电学和光学特性。研究结果表明:所制备的AZO薄膜并没有表现出明显的(002)c轴择优取向,这可能是由于长时间沉积引起的晶面能演变导致。电阻率在衬底温度为270℃时取得2.5×10-3Ω·cm,分别从微观、薄膜生长机制、晶体结构和薄膜显微结构的角度分析了薄膜电阻
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