硅衬底上高质量氮化铝的GSMBE生长及表征

来源 :中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xsyangle
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用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,证实了A1N外延层具有较高的质量.
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