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自行设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上制备了AlN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN薄膜的结构、形貌和成分。在最佳实验条件下制备的AlN薄膜具有(002)晶向的强衍射峰和相对较弱的(100)衍射峰,AlN(002)的衍射峰半高宽在612~648弧秒之间,气体流量、衬底偏压等沉积参数对薄膜的结构有明显的影响。