CCD-MOS高精度界面态的测试研究

来源 :2010年全国半导体器件技术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mimi107
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高精度界面态测试是CCD-MOS可靠性研究的关键问题。分析了电导法测试的误差,讨论了采用Agilent 4294A电导法测试能达到的精度,并建立模型分析研究了寄生电阻、寄生电容和误差的关系,也对CCD-MOS样品进行了测量及相关讨论。该方法界面态测试精度小于1010 cm-2eV-1,研究结果为CCD-MOS高精度界面态测试提供了重要依据。
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