【摘 要】
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窄线宽1550nm激光器是激光通信、激光探测、激光测量等应用的核心元件,结构紧凑的窄线宽激光器大多采用半导体增益芯片作为增益区,再结合光栅外腔、集成光栅、耦合波导等线宽压缩元件来实现.单模和高功率输出是增益芯片的基本要求,GaAs基单横模激光器功率可以高达1.3W[1],但1550nm波段器件即使优化了波导结构也只能达到0.8W[2],这是源于InP体系材料吸收和载流子泄露等造成的.
【机 构】
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,发光学及应用国家重点实验室,长春130033
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窄线宽1550nm激光器是激光通信、激光探测、激光测量等应用的核心元件,结构紧凑的窄线宽激光器大多采用半导体增益芯片作为增益区,再结合光栅外腔、集成光栅、耦合波导等线宽压缩元件来实现.单模和高功率输出是增益芯片的基本要求,GaAs基单横模激光器功率可以高达1.3W[1],但1550nm波段器件即使优化了波导结构也只能达到0.8W[2],这是源于InP体系材料吸收和载流子泄露等造成的.
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