【摘 要】
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本文研究了磁控溅射的CuInGaSe2薄膜在CuCl2和InCl3溶液中浸泡10分钟后,进行快速热退火(RapidThermalProcess,RTP)对薄膜电学性能的影响.结果表明,In离子的掺入,产生了施主In,从而产生电子与P型的CuInGaSe2薄膜中的空穴复合,降低了载流子浓度,但是在适当的条件下提高了载流子迁移率.Cu离子的掺入,产生了Cu受主,从而产生了更多的空穴提高了CuInGaS
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027 南开大学光电子研究所,天津,300071
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本文研究了磁控溅射的CuInGaSe2薄膜在CuCl2和InCl3溶液中浸泡10分钟后,进行快速热退火(RapidThermalProcess,RTP)对薄膜电学性能的影响.结果表明,In离子的掺入,产生了施主In,从而产生电子与P型的CuInGaSe2薄膜中的空穴复合,降低了载流子浓度,但是在适当的条件下提高了载流子迁移率.Cu离子的掺入,产生了Cu受主,从而产生了更多的空穴提高了CuInGaSe2薄膜的载流子浓度,同时在2M的CuCl2浸泡后,在400℃RTP处理50秒的条件下,提高了薄膜的迁移率.
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本文针对通信基站负载的特点,给出了太阳能光伏电源系统中蓄电池容量的设计方法,阐述了阀控密封铅酸蓄电池(VRLA)作为电源系统储能装置的充放电特性,分析了电源系统中VRLA蓄电池容量和寿命的影响因素,提出了VRLA蓄电池的维护途径.
用真空蒸发法制备了Cd1-xZnxTe(0＜x＜1)系列薄膜,研究了薄膜的结构、成分及其光、电学性质.XRD测试表明各组分薄膜的结构均为立方相,且在(111)方向高度择优.衬底温度对薄膜结构没有明显影响.成分分析表明,刚沉积的薄膜富Te,且Zn含量越多,衬底温度越高,富Te的趋势越显著.通过测量透过和反射谱,计算出Cd1-xZnxTe薄膜的禁带宽度Eg随组分x值线形变化.Cd1-xZnxTe薄膜的
利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的后处理,对样品进行了厚度、XRD、SEM、σ-T等性能测试,结果表明:退火后CdTe多晶薄膜在(111)面上仍具有择优取向,退火能使晶界钝化,增加再结晶并促进晶粒长大;退火后,暗电导(σdark)增加,电导激活能(Ea)减少.
本文分别对CdTe薄膜太阳电池的背电极面和玻璃面进行电子辐照,在辐照前后对电池的光I-V特性,暗I-V特性及C-V特性进行研究分析.
用热壁外延的方法,在清洁的玻璃衬底上外延生长了不同厚度的CdTe薄膜,对其结构和薄膜的本征吸收光学特性进行了测量分析研究.XRD测试显示薄膜为多晶,具有标准的立方结构,沿(111)方向有明显的择优取向.品格常数的计算值为6.49(A),与标准值符合较好.用Cary5000型双光束分光光度计测试了样品薄膜的反射谱和透射谱,并对玻璃衬底的样品模式:空气-CdTe薄膜-玻璃-空气系统经光照的反射、吸收和
本文第一次报道了用热壁外延的方法在Si(100)衬底上异质外延得到了镜面状的CdTe(100)单晶薄膜,薄膜与衬底有非常好的附着强度.用SEM、AFM和XRD技术分析了薄膜的表面和断面形貌及结构特征,SEM显示薄膜表面平整,断面显示薄膜在生长中期发生了变化,由多晶层向单晶层转变.AFM给出了CdTe(111)和CdTe(100)的形貌比较.XRD显示薄膜沿(400)晶向高度择优取向,有Te的一个弱
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池由于具有高的光电转换效率、低的制造成本以及稳定的光电性能而成为国际光伏界研究的热点.采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,铂网电极为辅助电极的三电极体系,利用恒电位电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备Cu(In,Ga)Se2薄膜,深入研究了络合剂柠檬酸浓度对所制备Cu(In,Ga)Se2薄膜的组分、晶相结构、表面形貌和
本文借鉴现有太阳电池测试标准,针对DSCs与硅太阳电池的区别,探讨了在DSCs性能测试时可能产生的问题.并在DSCs测试系统的设计中对这些问题在软件和硬件上给予了相应的解决.在此基础上建立了一套采集过程完全由软件控制,可采集64路通道,同时自动计算出电池的最大输出功率、填充因子、电池效率以及环境温度、测试光源的光强等各项参数,满足DSCs的伏安特性测试系统.
用共蒸发法制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,采用XRD(X射线衍射)、AFM(原子力显微镜)及XPS(X射线光电子能谱)等表征手段分析了薄膜结构、形貌、组分及Cu在ZnTe中的存在状态,并比较了它们在退火前后的变化.结果表明,刚沉积的薄膜为高度(111)择优的立方相结构;退火后膜变得均匀、致密,并出现六方相.XPS分析发现膜面呈现富Te现象,且富余的Te主要以氧化物和CuxTe相的形式存在.
采用Cu、In、Ga、Se一步共蒸发法低温制备CIGS薄膜.XRD分析表明一步共蒸发法制备的CIGS薄膜基本消除了(In,Ga)2Se3相.霍耳效应分析表明薄膜在不产生CuSe时,载流子浓度小于1016/cm3.将该工艺应用于聚酰亚胺衬底,制备的n-ZnO/i-ZnO/CdS/CIGS/Mo结构的太阳电池转换效率达到5.88﹪.