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简要回顾了氮化物半导体的主要特征和应用前景，目前国际上和国内的主要研究现状，市场分析与预测。由此可以看出，氮化物的研究已经成为高科技领域国际竞争的制高点之一。做为第三代半导体技术，有形成高科技巨大产业群的可能性，也存在着激烈的竞争和难以预测的风险。
氮化物宽禁带半导体—第三代半导体技术
【摘 要】
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简要回顾了氮化物半导体的主要特征和应用前景，目前国际上和国内的主要研究现状，市场分析与预测。由此可以看出，氮化物的研究已经成为高科技领域国际竞争的制高点之一。做为第三
【机 构】
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北京大学物理系介观物理国家重点实验室
【出 处】
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第七届全国LED产业研讨与学术会议
【发表日期】
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2000年期
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用电弧入电法制备成功固体氮化碳。用ＸＰＳ法证实了Ｃ－Ｎ共价键的生成，用ＸＲＤ和ＴＥＤ检验其结构，结果和Ｎｉｕ等基本相符。
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