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用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同辐射剂量率和累积总剂量条件下,不同的偏置条件器件辐照损伤不同。
偏置条件对功率MOS场效应晶体管总剂量辐射性能的影响
【摘 要】
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用钴-60γ射线对功率MOS晶体管进行辐照实验,研究了器件阀值电压、漏源击穿电压、截止漏电流等电参数在不同偏置条件下的退化规律.对实验结果进行了分析讨论.实验表明,在相同
【机 构】
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中国空间技术研究院电子元器件可靠性中心,北京市 9832信箱 100029
【出 处】
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第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2007年期
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