【摘 要】
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近年来，用作微波基板的低损耗高分子-无机介电复合材料由于其良好的综合性能吸引了广泛的关注.其中，非晶SiO2由于低介电常数、低介电损耗损、低热膨胀系数等而被广泛用作复
【机 构】
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浙江大学材料科学与工程学院电介质实验室浙江省杭州市西湖区浙大路38号310027
【出 处】
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第十四届全国电介质物理、材料与应用学术会议
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近年来，用作微波基板的低损耗高分子-无机介电复合材料由于其良好的综合性能吸引了广泛的关注.其中，非晶SiO2由于低介电常数、低介电损耗损、低热膨胀系数等而被广泛用作复合材料中的无机填充物.除非晶相外，室温下SiO2还常以石英、方石英等晶体相存在，且具有优于非晶相的微波介电性能，但其作为复合材料填充物的相关研究却未见报道.本研究以非晶、方石英、石英三种相为无机填充物，采用热压法制备了聚丙烯(PP)-SiO2复合材料，并对其形貌、密度、热膨胀性能和微波介电性能进行了研究.当SiO2的体积分数由0增至0.6时，对于三种复合材料而言，其致密度下降，热膨胀系数降低，介电常数和介电损耗增加，谐振频率温度系数降低.相对于其他两种复合材料，以非晶相SiO2为填充物的复合材料具有更低的致密度、较低的热膨胀系数和较差的介电性能，这是由于非晶SiO2粉末原料中存在含有大量气孔的纳米团聚粒子.复合材料的介电常数在填充相含量较高时与常用的介电复合模型理论值偏差较多，但若将气孔作为额外的相考虑，改进的并联模型得到的理论值则与实验值吻合较好.
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