【摘 要】
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设计制作了双栅槽结构AlGaAs/InGaAs/AlGaAs功率PHEMT器件.对于栅长1μm的器件,最大输出电流I为480mA/mm,跨导Gm为275mS/mm,阈值电压V=-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了28V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.随着栅宽增加,器件频率特性下降.制得的多指大栅宽的功率PHE
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
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设计制作了双栅槽结构Al<,0.24>Ga<,0.76>As/In<,0.22>Ga<,0.78>As/Al<,0.24>Ga<,0.76>As功率PHEMT器件.对于栅长1μm的器件,最大输出电流I<,max>为480mA/mm,跨导Gm为275mS/mm,阈值电压V<,th>=-1.4V,最大栅漏反向击穿电压达到了28V.研究结果表明,在栅源间距一定时,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系,是设计功率PHEMT的关键之一.随着栅宽增加,器件频率特性下降.制得的多指大栅宽的功率PHEMT获得了良好的直流和高频性能.
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在成功制备出EOT(Equivalent Oxide Thickness)为2.1nm N/O(SiN/SiO) stack栅介质的基础上,深入研究了其性质.我们的研究发现,同样EOT的N/O stack和纯SiO栅介质比较,前者对应MOS电容在抗B穿通,栅隧穿漏电流,可靠性方面都远优于后者对应的MOS电容,这说明了N/O叠层栅介质的优势.
采用MBE生长了非均匀结构InGaAs/GaAs QWIP(X=0.28),室温下观测到明显的共振隧穿效应,本文探讨了它的成因,并由此提出了高量子效率的红外探测器的设想.
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研究表明,分子量对壳聚糖的性质影响很大,而且壳聚糖的许多独特的功能只有分子量降低到一定程度才能表现出来,因此选择适当的方法对壳聚糖进行降解就显得十分重要.
对金属薄板的激光弯曲成形进行了试验研究,采用2KW YAG激光器对20＃低碳钢、纯铝进行控制局部加热,在不同能量输入、板料厚度、冷却方式等条件下进行激光弯曲试验,分析了其主要影响因素与成形角的内在关系,揭示了激光成形规律.
介绍了RPP的制作方法,对其工艺进行了研究.在φ270mm的石英基片上镀铬,甩胶后进行紫外曝光得到光刻胶掩模,然后用硫酸铈和硝酸的混合溶液去除未被光刻胶掩盖部分的铬,最后用49％的HF酸溶液与40％的HNF溶液以体积比1:5配置的混合溶液对石英基片进行了刻蚀,制作出了随机位相片.并在特定装置上进行了检测,给出了实验结果.
本文主要针对波长248nm准分子激光对聚碳酸酯(PC polycarbonate)刻蚀性能的实验研究.着重讨论了准分子激光对于该种聚合物的刻蚀机理,并通过对不同能量密度情况下得到的不同刻蚀深度的实验结果进行分析计算,得出聚碳酸酯材料对波长248nm激光的吸收系数及其刻蚀的能量阈值.
移相掩模曝光中,尤其是全透明移相掩模或亮场的交替和全透明混合移相掩模曝光时必然会产生多余的线条情况,如何在移相掩模曝光中去除多余的线条是移相掩模实用化中很重要的问题.本文重点介绍移相掩模的基本原理,分析亮场的交替和无铬全透明混合移相掩模曝光时产生多余线条的原因,及去除多余线条的方法,并提出一种借鉴DDAP技术去除多余线条的移相掩模版图编辑技术.
当在CF等离子体中掺入氧气时,由于增强了光刻胶的刻蚀作用,而使刻蚀的选择性和各向异性变差.为此,在本实验中用甲烷来代替氧气.研究发现poly-Si的刻蚀速率随着甲烷含量的增加而增大,在30％处出现最大值;SiO的刻蚀速率随甲烷含量的增加而缓慢下降.而poly-Si和SiO的刻蚀轮廓随着甲烷的掺入而保持完整.
在室温下,140keV Zn分别沿GaN的沟道方向和随机方向注入,注入剂量分别为1×10cm和3×10cm.高分辨透射电镜的观察结果表明,在3×10cm注入剂量下,GaN的表面有纳米范围的碎晶和非晶和混合层形成,而在1×10cm沟道注入情况下,表面只有小角晶界出现.表面层以下则是含有大量缺陷的晶体层,并且聚焦点缺陷、线缺陷和位错环的浓度随深度的增加而减少.