黄铜矿结构的铜铟镓硒(CIGS)太阳电池具有转换效率高、可见光吸收系数高、带隙可调、抗辐照能力强等优点。在传统CIGS 电池结构中是以CdS 作为缓冲层,然而有毒的重金属Cd 元素限制了CIGS 太阳电池的市场大规模生产。
铜锌锡硫硒太阳能电池的发展一直受限于自身巨大的开路电压损耗,同样近年来众多研究表明Sn 相关的深能级缺陷是开压损耗的主要来源,说明Sn 组分调控十分重要。
Kesterite-based Cu2ZnSn(S,Se)4 semiconductors are emerging as promising materials for low-cost,environment-benign,and high-efficiency thin-film photovoltaics.
大的开路电压损失(Voc,def)是制约锌黄锡矿结构的CZTSSe 太阳能电池效率提高的关键因素,目前12.6%世界纪录效率CZTSSe 电池的Voc,def 为0.345 V[1].本文分别以SnCl4 和SnCl2·2H2O 为锡的前驱体化合物研究二甲基亚砜(DMSO)溶液法制备的CZTSSe 太阳能电池的开路电压损失问题.
硒化锑(Sb2Se3)凭借原材料绿色低毒、价格低廉、一维结构贡献良性晶界、二元单相组成易于制备、理想带隙匹配高吸光系数、优异的载流子迁移率及介电常数等优势,在新型高效低成本薄膜太阳电池研究领域引起广泛关注。
A processing based on CZTS or CZTSe quaternary target sputtering has been developed as alternative one [1-2].As the as-deposited precursor is usually crystallinity-poor and sulfur-poor,heat treatment,
在磁控溅射中单靶溅射具有成本低、影响参数少和制备过程简单易重复等特点,目前在制备磁控溅射靶材制备上的报道较少。热压法制备溅射靶材,需要长时间的高温烧结,这不仅会造成能源的浪费,而且会加大靶材制备的难度。
近年来,Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)薄膜太阳能电池由于元素组成绿色丰富、理论最高效率超过30%、极具发展前景而受到了广泛的关注.但是,到目前为止,CZTSSe的最高认证效率仅为12.6%,,不仅远低于理论最高效率,还低于Cu(In,Ga)Se2(CIGS)(23.35%)和CdTe(22.1%)的最高认证效率.
近年来的一些研究表明,前驱溶液的状态如元素价态、配体分子种类等对于制备高效率铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池而言是至关重要的。本工作中,我们从巯基乙酸(TGA)-氨水溶液体系出发,通过红外、核磁和拉曼技术研究了前驱体溶液中,TGA分子与金属离子之间配位形式和配位结构的衍变过程。
The anomalous optoelectronic properties of quasi-vertical orientated Chalcostibite CuSbS2 thin film synthesized on glass substrate was studied in details.