Magnetic and damping properties of highly ordered L21-Co2FeAl film

来源 :第十九届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ladiylove
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Recent theoretical calculations indicate that the Co-based full-Heusler alloys should behave like half-metals even at room temperature [1, 2].
其他文献
拓扑绝缘体是最近发现的一种新的量子物态,其体态为绝缘体,同时存在拓扑保护的金属性表面(边缘)态.其中,表面态电子具有特殊的自旋结构,表现为自旋和动量的一一锁定,从而抑制了背散射过程.
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Topological superconductors (TSCs) have attracted a great deal of attention recently because of theMajorana modes they host, which can be used in fault-tolerant quantum computation relying on their no
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介观系统就其尺度而言基本上属于宏观范围,但又表现出明显的量子特性.电子在输运过程中仍能够保持波函数的相位相干,从而导致了一些新奇的物理现象.
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Much attention has been given to semiconductor spintronics for the promising applications in information technology.However, techniques for efficient generation and manipulation of spin currents are s
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我们利用射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上制备了氧化钒薄膜,薄膜样品的X射线衍射结果表明氧化钒薄膜样品的主要成分是多晶二氧化钒.
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Great attention have been payed to the research of semiconductor spintronics to fabricate novel spin-based devices.The advantages of these new devices would be nonvolatility, increased data processing
由于非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜具有高迁移率和高透过率的特点,它作为沟道层被广泛应用于薄膜晶体管(TFT)中[1-4]。本论文利用磁控溅射方法制备了IGZO-TFT器件,在研究了有源层厚度对器件性能影响的基础上,进一步研究了快速退火温度对器件性能的影响。在相同制备条件下制备了一组器件A、B、C、D、E,在不同温度下进行快速退火处理,发现退火温度对IGZO-TFT性能的影响很大。经过适当退火温度
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三维拓扑绝缘体(TI)是一类新的量子物质态,是当今凝聚态物理中的热点前沿课题之一.这类材料体内是绝缘体,表面存在无能隙的、受时间反演对称性保护的拓扑表面态.
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Electrical-field control of topological insulators (TIs) has greatly expanded the possible practical use of these materials.However, the combination of low-temperature local probe studies and gate tun
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近年来,人们掀起了自旋电子学的研究热潮[1].要实现自旋电子器件的应用,其中一个关键就在于制备出具有高自旋极化率、高居里温度的磁性半导体材料.
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