【摘 要】
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本文采用量子化学密度泛函理论(DFT)方法研究了铜掺杂的单层六方氮化硼(Cu/h-BN)的电子结构以及其催化CO 氧化的反应机理.我们发现h-BN 上硼缺陷位能与Cu 原子形成强相互
【机 构】
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大连理工大学化学学院,辽宁省大连市甘井子区凌工路2号,116024
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本文采用量子化学密度泛函理论(DFT)方法研究了铜掺杂的单层六方氮化硼(Cu/h-BN)的电子结构以及其催化CO 氧化的反应机理.我们发现h-BN 上硼缺陷位能与Cu 原子形成强相互作用,并能抑制Cu 原子的进一步聚集.计算表明,Cu/h-BN 非常稳定并且具有很高的O2 活化能力.我们考查了两个反应机理：Langmuir- Hinshelwood(LH)和 Eley-Rideal(ER)机理,发现反应第一步CO 与活化的O2 遵从LH 机理,反应生成CO2 和吸附的O；第二步为另一分子CO 与吸附的O 原子反应生成CO2.这两步反应的能垒分别为0.26 和0.02eV,表明对于低温下的CO 催化氧化过程,Cu 掺杂的单层六方氮化硼是一种潜在的高效催化剂.
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