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本文结合低温生长Si缓冲层与Si间隔层方法.利用化学腐蚀,观察不同外延层厚度处位错的形貌.研究了不同温度下生长的Si间隔层对SiGe外延层中位错形成,传播及其对应变弛豫的影响.研究表明Si间隔层的引入,显著改变了外延层中位错的攀沿滑移,进而使得样品表面形貌也呈现出较大的差异.Si间隔层还使得MFR位错增殖及应变释放机制出现在低温Si缓冲层外延层生长SiGe的样品中.