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<正>AgBi3S5是一种窄禁带n型半导体材料,具有高的电导率(～400Scm-1)是一种潜在的热电材料,但是Seebeck系数较低(～80μVK-1),通过优化制备工艺,控制其微观结构有望提高其热电性能。按照化学式AgBi3S5配比,以Ag(99.9%)、B(i99.99%)、S
AgBi3S5多晶热电材料的制备及性能研究
【摘 要】
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<正>AgBi3S5是一种窄禁带n型半导体材料,具有高的电导率(～400Scm-1)是一种潜在的热电材料,但是Seebeck系数较低(～80μVK-1),通过优化制备工艺,控制其微观结构有望提高其热电性
【机 构】
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北京科技大学材料科学与工程学院;
【发表日期】
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2004年期
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