【摘 要】
：
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅
【机 构】
：
南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016
【出 处】
：
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
报告了研制的SiC衬底上的AlGaN/GaN微波功率HEMTs.器件研制中采用凹槽栅和场调制板结构,有效抑制了电流崩塌并提高了器件的击穿电压,提高了器件的微波功率特性.研制的1 mm栅宽器件在8GHz、34V工作电压下,饱和输出功率达到了9.05W,功率增益为7.5dB、功率附加效率(PAE)为46％.
其他文献
本文首先从理论上研究了二级无铝光栅的InGaAlAs分布反馈激光器的性能,而后制作了器件并对其电学和光学性能进行测量.器件的阈值电流为54mA,无扭折的最大功率可达30 mW;激射
本文采用金相显微镜和PL Mapping扫描光谱仪,检测6英寸SI-GaAs晶片.首先用光荧光谱表征样品表面和内部的发光特性,利用光谱图中颜色的不同来分析样品缺陷的不均匀分布等特点;
使用金属有机物气相沉淀方法(MOCVD),在GaAs衬底上生长InP外延层.先在GaAs衬底上生长一层低温InP缓冲层,然后再生长InP外延层.通过比较不同缓冲层生长条件下的外延层晶体质量
根据空军关于《学习贯彻》通知精神,我部认真组织宣传学习活动,并密切结合实际,严格抓好贯彻落实,有力地促进了部队航空卫生保障质量的提高。主要做法如下: 1 领导高度重视,
在這次討論電影“武訓传”中,牽涉到了陶行知先生,那就是陶先生曾在晚年表揚過“武訓精神”。這已有人提出了批評,那是需要的。陶先生曾經说過:“武訓先生的精神可以用三个
在GaAs衬底上使用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较之单层结构发光峰位红移180 nm,实现了1.3微米发光.结
研究了在无定型衬底上采用MBE手段生长的GaAs薄膜.在玻璃衬底上,400℃直接生长的GaAs薄膜为无定型态,但经过2个小时的原位恒温(400℃)处理后,无定型态GaAs薄膜变成多晶态,其
一、蘇聯幼兒教育的概况 偉大的列寧,奠立了蘇維埃國家的基礎,領導我國走上社會主義之路,結束了俄國許多世紀以來人對人的剝削制度。列寧的道路,不僅是我國的新道路,也是引
李仪祉先生是我国近代著名的水利专家。陕西蒲城县富源村人,生于1882年。幼时在私塾念书,17岁入泾阳县崇实书院。1904年考取京师大学堂,进预科德文班。1909年毕业后,适值陕
本文采用磁控溅生长技术在GaAs(100),Si(100),Si(111),Al2O3(0001)和玻璃等不同衬底生长GaN薄膜.同时采用X射线双晶衍射,光致发光光谱和Raman散射谱等技术对薄膜的结构进行表