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同磁性随机存储器(MRAM)、相变随机存储器(PcRAM)、铁电随机存储器(FRAM)一样，阻变随机存储器(RRAM)被看做突破常规半导体存储物理极限的有力竞争者之一。然而，从上个世纪七十年代至今，这种简单的三明治结构的器件发生阻变的动态过程却仅仅在最近几年才被观测到。这完全依赖于各种显微术的迅速发展。