【摘 要】
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通过采用超薄的AlN润湿层和低温GaN成核层作为复合缓冲层,我们用金属有机物气相沉积(MOCVD)设备在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN薄膜.实验结果GaN(0002)衍射峰的X射线摇摆
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室(北京)
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通过采用超薄的AlN润湿层和低温GaN成核层作为复合缓冲层,我们用金属有机物气相沉积(MOCVD)设备在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN薄膜.实验结果GaN(0002)衍射峰的X射线摇摆曲线(XRC)的半高宽(FWHM)为15arcmin.透射电镜(TEM)观察其位错密度约为10<9>/cm<2>左右,室温光致发光谱(PL)中GaN带边跃迁峰的半高宽为47meV.这些实验结果表明在Si衬底上生长的GaN的晶体质量和发光特性已经可以和在蓝宝石上生长的GaN相比较了.此项研究表明,通过使用合适的润湿层和低温成核层,即使是在大失配的情况下,高质量的异质外延也是可以得到的.
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