外尔半金属TaAs家族大尺寸单晶生长与形貌控制

来源 :中国晶体学会第六届学术年会暨会员代表大会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yanhui516
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  量子场论中预言了几十年的外尔费米子终于在外尔半金属TaAs家族的低能激发中被发现。该体系具有费米弧、超高迁移率、超大横向磁阻、手性反常负磁阻等一系列特殊的性质。然而大尺寸、高质量的TaAs家族单晶却并不容易得到,这限制了它在一些领域的研究和应用。在本工作中,我们提出了一种改进的化学气相传输工艺,研究了该体系的生长机制,结合化学反应热力学和动力学分析,优化生长条件,最终得到了最大尺寸接近1 cm的优质晶体。
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