论文部分内容阅读
TiO2作为一种宽带隙(金红石型TiO2带隙为3.05eV)金属氧化物的代表,在紫外光波段(λ<400nm)具有较高的光催化活性1,2,例如可应用于光解水制氢3.然而,在太阳光谱中,紫外波段仅占约5％的比例,为了更好地利用占大部分(～46％)的可见光,有必要通过调控减小TiO2的带隙4.
(Cr,N)共掺杂金红石型TiO2(110)单晶薄膜的制备与表征
【摘 要】
：
TiO2作为一种宽带隙(金红石型TiO2带隙为3.05eV)金属氧化物的代表,在紫外光波段(λ
【机 构】
：
中国科学技术大学物理系,安徽合肥230026
【出 处】
：
中国物理学会2015年秋季会议
【发表日期】
：
2015年期
其他文献
物质的物理与化学性质由物质中的电子结构所决定，因此测量物质中的电子结构对于研究与理解物质性质起着至关重要的作用。其中，光电子能谱是一种最为直接探测物质中电子结构
FeSe是铁基超导体里成分和结构最简单的材料,2012年薛其坤研究小组发现在SrTiO3衬底上生长的单层FeSe中存在着异常高的超导Tc,引起了人们对FeSe的广泛关注1.FeSe体材料根
氧化石墨烯(GO)具有可调控的电学、力学和热学性质、非线性光学、以及固有荧光等优越的物理特性，在微电子学器件、光电器件、储能材料、传感器等领域展现出广阔的应用前景
具有陡峭金属-绝缘体转变行为的VO2是一种典型关联电子材料,其光、电性能易被外场(应变、电场、温度等)所调控,具有广阔的应用前景。直至目前为止,VO2金属-绝缘体转变机
我们研究了一维PN结界面的谷输运。目前已发现的谷材料可分为两类：一类是无能隙的，可与实际材料石墨烯、硅烯、弱拓扑绝缘体表面态等相对应；另一类是有能隙的，可与实际材料偏
硅烯,是与石墨烯[1]类似的二维材,在理论和实验研究上都取得了良好的进展.实验上已经报道的有在ZrB2[2],Ag(111)[3-8],Ir(111)[9]和MoS2[10]表面成功生长出单层的硅烯.其
LaTiO3(LTO)作为Mott绝缘体，其输运特性引起人们的广泛关注，尤其是近来与SrTiO3界面所形成的二维电子气更是具有重要的科学研究意义。本文利用激光分子束外延法在LaAlO3(LA
We study the intervalley scattering in defected graphene by low temperature transport measurements.The scattering rate is strongly suppressed when defects a
会议
Silicene is a single layer of sp2 bonded silicon atoms packed in a honeycomb lattice,and is considered as an analogy of graphene.The “multilayer silicene”