晶格异变GaxIn1-xP渐变过渡层生长及应力弛豫研究

来源 :第十三届全国固体薄膜学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fkswind

【摘要】

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　　采用低压金属有机物化学气相沉积设备在GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.52-0.22)渐变过渡层及其上的In0.3Ga0.7As外延层，并用高分辨X 射线衍射仪和透射电镜对过渡层进行了

【作者】

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李奎龙[1]孙玉润[1]赵勇明[2]于淑珍[2]赵春雨[2]董建荣[2]杨辉[2]

【机构】

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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123

【出处】

：

第十三届全国固体薄膜学术会议

【发表日期】

：

2012年期

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　　采用低压金属有机物化学气相沉积设备在GaAs衬底上生长了GaxIn1-xP(x=0.52-0.22)渐变过渡层及其上的In0.3Ga0.7As外延层，并用高分辨X 射线衍射仪和透射电镜对过渡层进行了表征.实验表明，高温生长GaInP 过渡层应力基本释放并呈现各向异性，同时由于高的位错滑移速度和大量位错钉扎中心的存在，导致大量的穿透位错到达顶层In0.3Ga0.7As.低温生长GaInP过渡层在应力释放达到90％以上的同时可以有效地抑制穿透位错向In0.3Ga0.7As 层的延伸，从而获得满足器件要求的过渡层材料.

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