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利用高斯98的Hartree-Fock(HF) 研究了OH-和OH与Si(111)面种吸附位(顶位,桥位)的吸附作用机理,考虑了OH-垂直进攻和倾斜进攻的基础上能量曲线表明： OH-和OH顶位倾斜吸附最稳定,而且空间构型符合空间位阻最小和最佳成键方向。用HF和DFT/b3lyp模拟了了OH-和OH在Si(111)面拉离硅原子的反应势能曲线。结果表明:OH-和OH的极化在拉离Si原子都起着很重要的作用,DFT方法计算的结果与实际更吻合。