磁性材料插层法制备高温单相多铁铋层状氧化物

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zibu365H356
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  自发的极化和自旋有序对d电子的要求是互斥的,其导致多铁材料的稀少性.近十年来,在高温单相多铁材料领域,铁酸铋(BiFeO3,BFO)几乎是唯一的“明星”.在这个工作中,我们通过磁性材料插层的方法,在SrBi4Ti4O15铁电母体材料中引入磁性离子,获得了同时具体铁电性和铁磁性的SrBi5Fe0.5Co0.5Ti4O18(SBFCT)多铁新材料.
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为了优化钙钛矿CH3NH3PbX3(X=Cl,Br,I)太阳能电池的性能,生长高质量的CH3NH3PbX3单晶并对其基础性能进行研究具有重要意义。本文采用溶液法合成CH3NH3PbBr3单晶生长原料,采用溶液蒸发法获得尺寸接近1厘米的CH3NH3PbBr3晶体。
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