【摘 要】
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金属表面等离子辅助受激辐射放大成为近年来的研究热点[1,2],有望实现纳米尺度下新型点光源.实验上,利用分子束外延(MBE)生长技术制备了InAs/GaAs半导体量子点样品,通过光刻等工艺及微区荧光光谱测量手段对量子点进行空间定位,再通过氢氟酸(HF)溶液浸泡腐蚀得到剥离后的样品(厚度～60 nm),最后把剥离后的样品放在镀有金薄膜(～200 nm)的蓝宝石衬底上.
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京,100083
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金属表面等离子辅助受激辐射放大成为近年来的研究热点[1,2],有望实现纳米尺度下新型点光源.实验上,利用分子束外延(MBE)生长技术制备了InAs/GaAs半导体量子点样品,通过光刻等工艺及微区荧光光谱测量手段对量子点进行空间定位,再通过氢氟酸(HF)溶液浸泡腐蚀得到剥离后的样品(厚度～60 nm),最后把剥离后的样品放在镀有金薄膜(～200 nm)的蓝宝石衬底上.
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