【摘 要】
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本研究利用磁控共溅射的方法，在玻璃和聚酰亚胺衬底上制备了Zn1-xCrxO(0=x=0.08)稀磁半导体材料，研究了不同Cr的掺杂浓度条件下，样品的结构和光学、电学、磁学等的性能。在Zn0.9
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院，天津300071河北工业大学材料学院，天津300130
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本研究利用磁控共溅射的方法，在玻璃和聚酰亚胺衬底上制备了Zn1-xCrxO(0=x=0.08)稀磁半导体材料，研究了不同Cr的掺杂浓度条件下，样品的结构和光学、电学、磁学等的性能。在Zn0.995Cr0.005O 样品中，得到了最大的室温磁矩(～1.41μB/Cr)，X 荧光光谱显示Cr为＋3价，方块电阻大于1010O。
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