【摘 要】
：
以MoSi、Si-C-N纳米颗粒为增强相，以YO、LaO、MgO为烧结助剂，用热压法制备了SiN基复相陶瓷。研究发现，用MoSi增强的SiN陶瓷的韧性有很大提高，达到10.99MPa·m，而用MoSi、Si-C-N纳米粒子增强的SiN陶瓷的综合力学性能有较大的提高，同时对材料的微观结构和增韧机理进行了初步分析。
论文部分内容阅读
以MoSi<,2>、Si-C-N纳米颗粒为增强相，以Y<,2>O<,3>、La<,2>O<,3>、MgO为烧结助剂，用热压法制备了Si<,3>N<,4>基复相陶瓷。研究发现，用MoSi<,2>增强的Si<,3>N<,4>陶瓷的韧性有很大提高，达到10.99MPa·m<1/2>，而用MoSi<,2>、Si-C-N纳米粒子增强的Si<,3>N<,4>陶瓷的综合力学性能有较大的提高，同时对材料的微观结构和增韧机理进行了初步分析。
其他文献
研究了TiB颗粒弥散韧化AlO陶瓷材料和TiB、ZrO复合强韧化AlO陶瓷材料的力学性能和抗冲击性。研究结果表明，随着TiB加入量的增加，AlO-TiB二元系陶瓷材料和AlO-TiB-ZrO三元系陶瓷材料的相对密度降低，材料的强度在TiB含量为20vol℅时高最，而断裂韧性在TiB含量为30vol℅时最高。和AlO-TiB二元系陶瓷材料相比，添加少量ZrO后AlO-TiB-ZrO三元系陶瓷材料的强
就用BC在H所氛中硼热/碳热直接还原TiO合成TiB工艺进行初步探讨。研究了原料配比及工艺条件对合成的粉末纯度、粒度及其分布、相结构和形貌的影响。结果表明，原料配比和合成温度是影响粉末质量的关键因素。通过选择适当的原料配比和合成温度，可制得结晶完整，粒度细，纯度高的TiB粉末，而且其生产效率高，工艺稳定可靠。
采用X-射线衍射法，研究了纳米晶Dy-SrCoO（0.0≤x≤1.0）的晶体结构。结果表明：纳米晶Dy-SrCoO的晶形、晶胞参数、晶格畸变，与其组成密切相关。x=0.0～0.5的复合氧化物均为正交晶系，x=0.6～0.9的氧化物则为四方晶系，x=1.0的氧化物为六方晶系，纳米晶Dy-SrCoO的晶胞参数，大于同组成微米晶的晶胞参数。
通过对佛山地区使用的国内外几个主要厂家生产的新棚板和使用过一段时间的旧棚板进行化学成份分析、X射线衍射、物性测试和显微结构的分析和研究，探讨堇青石-莫来石棚板的损毁机理及棚板热稳定性与其显微结构之间的关系。
介绍了我们开发TiO光催化抗菌保洁建卫陶瓷的一些实验结果，分析了TiO光催化剂的作用机理，探讨了该类产品的应用前景。
通过引入第二相粒子TiN，研究TiN粒子对氮化硅陶瓷材料性能和显微结构的影响。发现TiN粒子的引入，对基体材料能起到协同增韧的作用，当TiN粒子超过一定比例后，复合材料具有导电性，可以用电火花技术加工。
研究了添加剂Al、Ni以及Ar、N烧成气氛对BN-AIN-TiB导电复合陶瓷密度和导电性能的影响。结果表明，添加剂Al或Ni可以明显提高制品的密度和导电率。在相同密度情况下，加Ni配方的导电率增加比加Al要显著加Al配方在N烧成气氛中，由于坯体内部和边沿中的Al与N的反应程度不一致，造成制品的电阻率不均匀。
对氮化硅无压烧结的工艺进行了初步研究，MgO和CeO作为烧结助剂有利于氮化硅的无压烧结过程，并提高其致密度，并分析了SiN粉末形貌及粒度分布与其制品性能之间的关系，讨论了各种工艺参数以及MgO和CeO的含量对氮化硅的致密化及力学性能的影响。无压烧结的SiN-MgO-CeO陶瓷，其相对密度可超过98℅，抗弯强度达到900MPa，已成功地应用于切削刀具、结构零件等领域。
通过对经不同粉碎方式处理的α-AlO粉料对氧化铝浇注产品性能影响的研究，主伙对于石膏浇注法来说采用滚筒式球磨粉碎的α-AlO粉料是比较合适的。
利用扩散偶研究了过渡塑性相工艺（TPPP）中Ti/BC的界面反应和扩散路径。实验结果表明界面反应是由B、C元素的扩散控制的，在1200℃～1700℃生成了TiCx、TiB、TiB三相并逐渐分层。曲型的扩散路径是在1600℃保温4小时：β-Ti/(Ti+TiCx+TiB)/(TiCx+TiB+TiB)/(TiCx+TiB)/TiB。