氧化钒薄膜由于具有特殊的光学性能和热致相变特性,被广泛应用于光电开关、微电池、表面催化、智能窗、军用激光辐射防护及非制冷性红外微测辐射热计等领域。由于V-O键的复杂性,使得很难制备出单一物相的氧化钒薄膜,采用不同方法制备出的薄膜其组分及光学特性方面存在较大差异。在各种氧化钒薄膜制备工艺中,磁控溅射法由于其反应条件易于控制、成膜效率高、均匀性好、镀膜无污染且膜与基底附着能力强等优点被广泛采用。近年来,人们利用磁控溅射方法制备氧化钒薄膜并对其做了大量研究,但多数集中在研究沉积时间、温度、气氛以及退火工艺等参数上,尚未见到对于不同溅射功率下以V₂O₅为靶材制备氧化钒薄膜结构性能的研究报导。本工作选用纯度不低于99.99%的V₂O₅靶,采用Ar和O₂分别作为溅射和反应气体,通过FJL560CI2型高真空射频磁控溅射系统在K9双面抛光玻璃基底上制备氧化钒薄膜,工作气压设定在0.5Pa,Ar流量50sccm,O₂流量2sccm,基底负偏压80V。重点研究溅射功率在60-160W之间变化时对薄膜的结构和性能的影响。结果表明,伴随着溅射功率的增大,薄膜沉积速率出现明显的递增趋势,薄膜微观结构由非晶态转变为晶态,当溅射功率调节到160W时,可以不经退火处理获得VO₂样品。薄膜表面的颗粒尺度伴随溅射功率的提高呈现先增大后减小的趋势。各功率参数下沉积的VO_x薄膜的光透过率基本都大于80%,属于弱吸收透明膜。随着溅射功率的增大,薄膜的硬度提高、弹性模量变大,薄膜的折射率也增大,但吸光度呈现先减小后增大的趋势。