为在获得表面波等离子体放电沉积薄膜的均匀性,我们研究影响沉积薄膜氧化硅和类-金刚石(DLC)薄膜均匀性的影响因素。一是单体的影响。我们发现分别采用六甲基硅氧烷(HMDSO)和乙炔为单体,在表面波放电中沿着放电天线沉积的薄膜厚度均匀性不同。对乙炔气压的影响明显小于六甲基硅氧烷,在乙炔沉积DLC中,通过气压的调控,可以改善沉积DLC薄膜的均匀性；二是增加放电惰性气体。对乙炔和HMDSO,加入惰性气体Ar,可以明显改善沉积薄膜的均匀性。乙炔中加Ar的均匀性调节更加显著；第三是在天线上增加金属屏蔽层。实验发现屏蔽层的增加可以改善沉积薄膜的均匀性,但是较前二种方法效果差。采用等离子体发射光谱,我们研究了这三种改善沉积薄膜均匀性的等离子体内在因素,特别是乙炔和HMDSO单体对沉积薄膜均匀性的影响,进行深入研究。采用AFM,SEM和FTIR等对PET薄膜表面沉积的氧化硅进行分析表征,把影响沉积薄膜均匀性和薄膜的成分、结构联系起来,理论性说明等离子体辅助队纳米薄膜沉积的作用。