外加会切磁场对感应耦合等离子体放电过程的影响

来源 :第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Gloria_SHU
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感应耦合等离子体源(Inductively Coupled Plasmas,ICP)可在低气压(1-50 mTorr)下产生高密度的等离子体(>1011 cm-3),己被广泛应用于芯片加工工艺当中.此外,在磁约束核聚变中,ICP源也被选择作为中性束注入系统的离子源.我们所模拟的ICP源的放电腔室是一个柱状结构.圆柱内充满氢气.圆柱的上底面和下底面是由金属构成,而侧壁是由石英构成.
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利用等离子体浸没离子注入技术(PIII)对AZO薄膜进行表面改性,然后用X射线光电子衍射仪(XPS)和开尔文探针(KP-Probe)对结果进行了表征.结果发现,AZO薄膜表面的氧元素含量经过处理后显著提高,而碳含量明显减少;AZO薄膜的表面功函数最高可提高约1.0eV,并且在空气中放置96小时之后还保有0.4eV的增量;XPS对Ols结合能偏移量的分析也和功函数的增量有很好的一致性.
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