【摘 要】
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Building energy-efficient and eco-friendly electronics on the mature silicon platform fueling the ever increasing demand of speed and functionality from mobile devices to data center systems has been
【机 构】
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Electronic and Computer Engineering Department Hong Kong University of Science and Technology,Clear
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Building energy-efficient and eco-friendly electronics on the mature silicon platform fueling the ever increasing demand of speed and functionality from mobile devices to data center systems has been the major quest for the semiconductor industry.
其他文献
目前Ⅲ族氮化物器件均是采用异质外延技术制备的,该技术具有晶格失配、热失配等固有缺点,根本解决措施即采用GaN同质外延.本文用MOCVD技术在GaN及PSS衬底上生长相同的InGaN/GaN多量子阱结构,并利用变温度及变功率光致发光谱技术对上述两样品的发光特性进行研究对比,结果证明GaN衬底样品具有更大的局域态和更小的极化场,因此具有更高的内量子效率.
The band offsets of non-polar A-plane GaN/AlN and AlN/GaNheterojunctionsare measured by x-ray photoemission spectroscopy.A large forward-backward asymmetry is observed in the non-polar GaN/AlN and AlN
可调谐激光器作为现代波分复用(WDM)光学通信系统[1]的关键器件受到广泛关注,较固定波长的分布反馈(DFB)激光器而言,可调谐激光器的使用极大地减少了WDM系统的搭建和运作费用.与取样光栅分布布拉格反射(S GDBR)可调谐激光器[1]相比,两段或者三段式的分布布拉格反射(DBR)激光器具有更简单的结构,直接降低了工艺难度和成本.
设计了一种GaN-A1GaN-GaN的特殊势垒结构,并将这种特殊势垒结构来替代传统的InGaN发光二极管的最后一个GaN势垒.研究发现含有这种特殊势垒结构的LED在不使用传统的电子阻挡层的情况下,有更好的光电特性.其开启电压从3.39 V下降为2.98 V,更重要的是其效率衰减从30.1％下降为14.2％.
GaN based LEDs and HEMTs have been widely used for SSL and base-station applications, respectively.They enable dramatic energy savings compared to currently-used incandescent bulbs, fluorescent lamps
被称为第三代半导体的氮化镓(GaN)基材料光谱覆盖了近红外到深紫外波段,在光电子学领域有重要的应用价值.GaN基激光器和紫外探测器管是重要的两种光电子器件,在激光测距、紫外通信等领域有重要的应用前景,也是当今世界的研究热点.
AlN基材料因在深紫外光电子器件领域具有广泛的应用前景而越来越受到人们的重视,然而生长高质量的AlN基材料也具有一定挑战性,因此也在一定程度上限制了AlGaN基深紫外光电器件的发展.采用通常的方法在生长GaN薄膜上生长高Al组分AlN基材料或在低温AlN缓冲层上生长高Al组分AlN基材料均无法获得高结晶质量的外延层.
氮化镓材料是新型半导体材料，具有优异的光电特性。但由于缺少氮化镓同质衬底，导致材料中存在很高的缺陷密度，严重制约了其性能的进一步提高。若采用GaN衬底实现同质外延，不仅可以解决氮化物外延材料缺陷密度高、难以解理、器件可靠性差等问题，而且可以发展垂直结构的新型电子、光电子器件，大幅度提高器件性能。氮化镓衬底相对于蓝宝石、碳化硅等衬底的性能优势显而易见，但最大难题在于价格过高。因此，国际上一般认为：谁
随着信息技术向推动人类社会在健康、环境、安全、新价值深入发展的新技术范畴发展,传统CMOS技术不能满足所有信息系统在现实世界的各种不同需求,如无线电频率和移动电话,高压开关与模拟电路非数字的功能,汽车电子和电池充电器、传感器和执行器,至关重要的控制汽车运动的安全系统电路,这些新的电子应用领域需要发展新型功能器件与异质融合技术.
GaN基HEMT在大功率和高频器件方面应用广泛.虽然目前硅衬底上生长的GaN层和AlGaN/GaN异质结外延的质量还不及在SiC衬底，但是硅衬底在降低产品成本，开发大功率器件，整合硅基光电子集成等方面极具前景.采用MOCVD在Si衬底(111)面生长了GaN/AlGaN异质结构.研究了不同缓冲层和GaN层生长条件对GaN外延层晶体质量和电阻率的影响.结果表明，通过优化生长参数能够获得表面质量好、无