铱氧化物薄膜的分子束外延生长及原位掺杂特性研究

来源 :第十三届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sgzhou22
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  在过渡金属氧化物中,具有5d电子的过渡金属氧化物由于其中复杂的电荷、轨道以及自旋等多自由度间的相互竞争与合作,使其具有独特的物理特性,常常呈现出金属绝缘相变、非常规超导以及奇异拓扑等有趣的物理行为。而钙钛矿型衬底上生长的Sr2IrO4薄膜,具有与高温超导铜氧化物母体相似的晶体结构,理论计算表明对其进行空穴型或者电子型掺杂后可能出现高温超导现象。本报告主要介绍我们利用氧化物分子束外延技术生长一系列SrIrO3(100)和Sr2IrO4(100)高质量单晶薄膜,并同时对其进行原位掺杂和替代,进而调制其物理特性的研究;此外,利用原位角分辨光电子能谱技术,我们直接探测了薄膜材料中的精细电子结构,为从微观机理研究这些材料中的独特物理特性提供了直接的实验依据。
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