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本研究通过分子动力学方法(MD)，采用嵌入原子势法(EAM)，沿[111]方向插入一层(011)半原子面形成位错，然后在模型中分别插入了两种特殊的惨杂物(铜沉淀物和空洞)，模拟了BCC铁中刃型位错与惨杂物之间的相互作用，对比分析了铜沉淀物和空洞对位错运动的影响机理。从模拟结果表明，当温度设定为10K时，因位错运动速度快，当惨杂物为空洞时，其直径的大小对位错运动速度的影响不太明显，当高温设定为100K时，由于位错线密度增大并随着空洞直径的增加位错运动加剧，临界剪切应力也随着增大。当惨杂物为铜沉淀物时，其直径的大小对位错运动速度的影响比较明显，沉淀物直径越大相互作用越强，临界剪切应力越大，位错越难越过沉淀物，沉淀物间距越大相互作用越弱，临界剪切应力越小，位错越容易越过沉淀物。最后将模拟计算结果与Osetsky的研究结果及连续体理论模型结果进行了对比分析。