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本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值.
采用电阻加固的抗单粒子辐照SOI SRAM单元
【摘 要】
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本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值.
【机 构】
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中国科学院微电子研究所一室,北京,100029
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
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