GaN是制造蓝紫光光电器件的理想半导体材料之一，由于生长工艺的原因，非掺杂的GaN材料中通常会存在一定的杂质和晶格缺陷，在对材料测试光致发光谱时，这些未知的杂质和晶格缺陷会产生与能级相对应的发光峰，通常出现波长位于450nm的蓝带发光峰和位于550nm的黄带发光峰，这会大大降低了材料的发光特性，因此弄清楚黄带发光与蓝带发光的起源，对材料制作工艺的改进有着十分重大的意义。本文采用氢化物气相外延法(HVPE)生长GaN材料，以KrF激光器作激发光源对制备的GaN材料进行光致发光谱的测试，通过改变激光器的脉冲频率，发现当脉冲频率较低时，光致发光谱中黄带发光峰和蓝带发光峰的光强较弱，只有当脉冲频率较高时，蓝带发光峰和黄带发光峰的光强才比较强，通过数据分析，发现随着脉冲频率的增高，带间发光峰与黄带发光峰的光强之比、带间发光峰与蓝带发光峰的光强之比都随之变大，由计算得出：带间发射和黄带发射的光子数目之比与激发光子数成线性关系，带间发射和蓝带发射的光子数目之比和激发光子数成超线性关系，分析得出作者对于蓝带发光和黄带发光的来源，认为蓝带发光是导带自由电子跃迁至受主能级发光，当激发光子数增加时，受主杂质会按照与激发光子数超线性的关系增加；黄带发光是施主-受主对的辐射跃迁，当激发光子数增加时，施主—受主对会严格遵守与激发光子数成线性的关系增加。所取得的结论对于确定蓝带发光和黄带发光的来源具有重要的参考价值。