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使用基于密度泛函理论的第一性原理方法,我们对Bi2Se3中Cd替Bi位和Ca替Bi位掺杂效应进行了计算研究.计算结果表明Cd替Bi位和Ca替Bi位在Bi2Se3材料中充当单受主,受主能级分别为0.030eV和0.028eV.这两种受主杂质在富Se环境下可以有效补偿本征施主缺陷Se空位和Se取代Bi位.