【摘 要】
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在超高真空条件下利用磁控溅射系统制备了AlN/ZrB2纳米多层膜.通过XRD、表面轮廓仪及纳米力学测试系统研究了调制周期与AlN、ZrB2单层厚度比例tAlN∶ tZrB2对多层膜生长结构
【机 构】
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天津师范大学物理与电子信息学院,天津300387
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工学部第七届学术会议
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在超高真空条件下利用磁控溅射系统制备了AlN/ZrB2纳米多层膜.通过XRD、表面轮廓仪及纳米力学测试系统研究了调制周期与AlN、ZrB2单层厚度比例tAlN∶ tZrB2对多层膜生长结构和力学性能的影响.结果表明:多层膜的界面清晰,调制周期性好,在调制比例为tAlN∶tZrB2=1∶3、调制周期为30nm时,薄膜显示出较强的AlN (100)、ZrB2 (100)和ZrB2 (001)择优趋向和较弱的ZrB2 (101)与AlN (102)择优趋向.同时硬度和弹性模量都升高了,最大硬度和弹性模量分别达到34.1GPa和469.8GPa.多层膜的机械性能改善明显与其调制结构和多晶结构有着直接的联系.
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