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TiN(Ni)对GPS Si<,3>N<,4>复合材料导电性能的影响
TiN(Ni)对GPS Si<,3>N<,4>复合材料导电性能的影响
来源 :'97计量测试学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:qwertasdfg122
【摘 要】
:
该文研究了TiN(Ni)对GPS Si〈,3〉N〈,4〉复合材料导电性能的影响。实验结果表明:添加TiN粒子可显著降低Si〈,3〉N〈,4〉复合材料的电阻率;Ni的加入对Si〈,3〉N〈,4〉复合材料的电阻率有一定的作用。选择电阻率小于
【作 者】
:
林广涌
王黎
【机 构】
:
理工大学材料研究中心(广州)
【出 处】
:
'97计量测试学术年会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
材料导电性能
复合材料
电阻率
电火花加工
加工性能
GPS
选择
试样
实验
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该文研究了TiN(Ni)对GPS Si〈,3〉N〈,4〉复合材料导电性能的影响。实验结果表明:添加TiN粒子可显著降低Si〈,3〉N〈,4〉复合材料的电阻率;Ni的加入对Si〈,3〉N〈,4〉复合材料的电阻率有一定的作用。选择电阻率小于1Ω·cm的试样进行电火花加工,加工性能良好。
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