高能伽马探测器灵敏度测量

来源 :中国核学会2009年学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:haolong12345
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高能伽马探测器是一种基于散射吸收方法,具备较强的抗低能伽马干扰能力的电流型探测器.为检验探测器的抗低能辐射干扰能力,分别在北京原子能研究院600 kV 高压倍加器和西北核技术研究所钴源辐照装置上测量了探测器对6.13 MeV 和1.25 MeV 伽马射线的灵敏度.基于两种伽马射线源强度的差异,测量时分别采用了单粒子计数法和电流法.探测器灵敏度实验结果与蒙特卡罗计算在14%以内一致,从而验证了散射吸收探测方法的可行性.
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为了测量高强度的DT 聚变脉冲中子产额,设计了一个活化探测器.该探测器由中子慢化体、天然银片、塑料闪烁体和光电倍增管组成,其输出电流通过一个小电流计来获取.通过分析探测器在直流标定和脉冲测量两种状态下,输出电流的变化曲线,求解特征参数,进而推导计算出DT 聚变脉冲中子源的产额.实践证明,这种测量方法与传统的活化法相比,减少了对活化片截面数据准确性的依赖,具有简单、方便、在线测量等优点.
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对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件(基-射结反向偏置、正向偏置和零偏置)的电离辐射实验.结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异.基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著.而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小.最后,根据边缘电场,讨论了出现这种结果的内在机制.
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文中对10 位CMOS ADC7910 在不同偏置条件下的电离辐射效应及退火特性进行了研究.结果表明:模数混合电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异.高剂量率辐照时,相比加电偏置,零偏条件下的辐射损伤更严重.文中对其损伤机理进行了初步的探讨.
要对丰中子核进行动力学全测量研究其能级结构和探究多个价中子之间的相互作用行为,具有多中子分辨本领的中子谱仪就成为必不可少的探测工具.由于探测效率低、串扰影响等技术难题的存在,多中子关联谱仪的研制已经成为丰中子核研究的竞争热点.通过对现有的该类中子谱仪优缺点了进行分析对比,提出了针对不同能量的中子探测分能段对待的方案.结合多中子甄别技术的发展,阐述了多中子探测技术的关键问题和可行的解决方案.
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