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从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发，采用商用TCAD软件建立AlGaN／GaN HEMT器件二维模型。针对自加热效应，在不同的直流偏置电压下，对AlGaN／GaN HEMT器件进行了二维数值分析，获得相应的热形貌分布。
AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真
【摘 要】
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从泊松方程、连续性方程和晶格热方程出发，采用商用TCAD软件建立AlGaN／GaN HEMT器件二维模型。针对自加热效应，在不同的直流偏置电压下，对AlGaN／GaN HEMT器件进行了二维数值分析，获
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州 310018
【出 处】
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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
【发表日期】
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2010年期
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