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有机薄膜场效应晶体管由于其潜在的广泛应用受到广泛关注.[1] 并五苯薄膜场效应晶体管具有高的迁移率 (＞ 1 cm2V-1s-1) 和开关比 (＞105),其性能已可比拟于无定型硅薄膜场效应晶体管,但是其阈值电压太高 (约 -20 V) 限制了实际应用.[2,3] 本研究通过在并五苯和金电极之间插入一个金属酞菁层,大大降低了并五苯薄膜场效应晶体管的阈值电压 (低于-7.6 V),同时提高了1.5-3倍载流子迁移率.该并五苯薄膜场效应晶体管性能的提高是由于插入一个金属酞菁层降低了金电极到并五苯的载流子注入势垒引起的.[4] 本研究提供了一个在氧化硅基底上构建高性能并五苯薄膜场效应晶体管的简单方法.