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本文提出一种新型自偏置基准源的设计方法，该基准源是在传统自偏置基准电压源设计的基础上作出了一些改进，提高了所得到的基准源的温度特性，比传统的自偏置基准源的温度特性高出30％左右。
一种CMOS自偏置带隙基准源的设计
【摘 要】
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本文提出一种新型自偏置基准源的设计方法，该基准源是在传统自偏置基准电压源设计的基础上作出了一些改进，提高了所得到的基准源的温度特性，比传统的自偏置基准源的温度特性高出
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 成都 610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2008年度学术年会
【发表日期】
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2008年期
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